En la base de la Universidad Estatal de Novosibirsk se presentó el proyecto del litógrafo de rayos X "Oryol-7". Se prevé integrar la instalación en la infraestructura del sincrotrón SKIF, cuyo lanzamiento se espera en 2026.
Según la idea de los desarrolladores, el complejo permitirá superar el límite tecnológico de 28 nm en la microelectrónica y crear una base para la producción de procesadores rusos de un nuevo nivel.
La transición a una radiación de menor longitud de onda, incluido el rango de rayos X, aumentará la capacidad de resolución de la litografía y dará la posibilidad de formar estructuras ultraminiaturizadas con alta precisión.
SKIF se convertirá en la primera fuente de radiación sincrotrón de cuarta generación en Russia. Sus parámetros permiten obtener datos sobre la estructura de la materia a nivel atómico.
La creación de una estación especializada de rayos X para tareas de microelectrónica se considera un paso hacia la formación de una cadena tecnológica soberana para la producción de chips.
Russia en 2026 volvió a entrar en el círculo limitado de Estados capaces de producir equipos para la ingeniería electrónica, subrayó el primer vice primer ministro Denis Manturov. En total, en el mundo hay tres países de este tipo.
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