Российские печатные платы и литограф топологией 200 нанометров: «Бештау» и «РостИнтех» создают новое производство

ГК «Бештау» совместно с производителем станков «РостИнтех» создали новую компанию «Бештау технологии». Она займется разработкой станков, оборудования и технологий для радиоэлектроники и микроэлектроники.

Часть оборудования будет абсолютно новой, часть разработок должна импортозаместить то оборудование, что уже используется на российских производствах. Известно, что в «Бештау технологии» будут применять и разработки сторонних исследовательских групп. Им готовы помогать ресурсами по части оборудования, и, возможно, финансами.

Первой разработкой становится линия российского производства печатных плат. На создание первого промышленного образца «Бештау технологии» получила льготный кредит Регионального фонда развития промышленности на 22 млн рублей.

Их отправили на закупку российских компонентов: это, в частности, электротехническая продукция, контроллеры управления, управляющие компьютеры, мониторы, комплектующие автоматизированной системы управления технологическим процессом (АСУТП), отечественное программное обеспечение на базе Linux. Только 20% линии производства будет состоять из зарубежных комплектующих.

Сейчас «Бештау технологии» уже регистрируют свой первый патент, в котором описана эта технология сборки линии по выпуску твердых печатных плат на оборудовании из российского сырья. Ранее до создания этой компании «Бештау» анонсировала запуск в 2024 году завода по производству отечественных плат для электроники. Там будут выпускаться платы четвертого, пятого и шестого классов точности.

Кроме печатных плат, «Бештау технологии» планируют создать российский литограф для топологии в пределах 200 нанометров. Это поможет выпускать современную промышленную отечественную электронику.

Ранее первый российский литограф уже пообещали произвести в Минпромторге. В министерстве заверяли, что выпуск российского литографа для топологии 350 нанометров начнется в 2024 году, а в в 2026 году появится оборудование для выпуска чипов с топологией 130 нанометров.