Científicos rusos de MIREA han desarrollado transistores de efecto de campo de diamante capaces de funcionar eficazmente en condiciones de altas temperaturas y radiación.
Los dispositivos creados superan a los análogos de silicio en un 10-15% en rendimiento y resistencia a condiciones extremas. La base del transistor es una capa de diamante de menos de una micra de espesor, obtenida mediante un método de tratamiento termoquímico que elimina los defectos superficiales. A diferencia del silicio, el diamante no pierde conductividad al calentarse, sino que la aumenta. Esto hace que estos transistores sean especialmente prometedores para su uso en electrónica reactiva, nuclear e industrial.
El desarrollo abre el camino a la creación de motores "inteligentes" con electrónica integrada, y también puede utilizarse en radiolocalización, comunicación por satélite, perforación en aguas profundas y tecnología médica. La ventaja clave de la tecnología es la combinación de resistencia al calor, eficiencia energética y resistencia a la radiación.
Los nuevos transistores aumentarán la fiabilidad de los equipos, reducirán los costes de mantenimiento y harán posible el uso de la electrónica en lugares que antes se consideraban inaccesibles.
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