Российские учёные из МИРЭА разработали алмазные полевые транзисторы, способные эффективно работать в условиях высоких температур и радиации.
Созданные устройства превосходят кремниевые аналоги на 10–15% по производительности и устойчивости к экстремальным условиям. Основу транзистора составляет слой алмаза толщиной менее одного микрона, полученный методом термохимической обработки, устраняющим поверхностные дефекты. В отличие от кремния, алмаз при нагреве не теряет, а наоборот, увеличивает проводимость. Это делает такие транзисторы особенно перспективными для применения в реактивной, ядерной и промышленной электронике.
Разработка открывает путь к созданию «умных» двигателей с встроенной электроникой, а также может быть использована в радиолокации, спутниковой связи, глубоководном бурении и медтехнике. Ключевое преимущество технологии — сочетание термостойкости, энергоэффективности и устойчивости к радиации.
Новые транзисторы повысят надёжность оборудования, снизят затраты на обслуживание и сделают возможным использование электроники в местах, ранее считавшихся недоступными.
Читать материалы по теме:
Новую технологию производства транзисторов для гибкой электроники создали в ТПУ
Новую технологию производства транзисторов для гибкой электроники создали в ТПУ
