Científicos de la Universidad Estatal de Moscú y del Instituto Kurchatov mejoran la "resistencia" de los dispositivos para computadoras neuromórficas

Los especialistas aumentaron el número de ciclos de conmutación de los memristores en 1,5 veces, un paso hacia cálculos más confiables

Científicos moscovitas de la Universidad Estatal de Moscú M. V. Lomonósov y del Centro Nacional de Investigación "Instituto Kurchatov" han aumentado la eficiencia de los memristores, elementos clave para las computadoras neuromórficas que imitan el funcionamiento de las redes neuronales biológicas. Según el servicio de prensa de la universidad, los investigadores lograron aumentar el número de ciclos de conmutación de tales resistencias en 1,5 veces.

Los memristores se diferencian de las resistencias ordinarias en que su resistencia depende de las cargas de corriente precedentes. Esto les da a los dispositivos "memoria" y les permite cambiar los estados grabados en ellos, acercando sus funciones a las terminaciones nerviosas.

Un grupo de la Facultad de Física de la Universidad Estatal de Moscú y del Instituto de Física Nuclear D. V. Skobeltsyn, junto con colegas del Instituto Kurchatov, mejoró las características de los memristores mediante la irradiación con partículas α.

Según los investigadores, la formación controlada de defectos durante la exposición a la radiación condujo a una mejora significativa: el número de estados resistivos estables se triplicó, el contraste entre la resistencia alta y baja aumentó en más del doble y la resistencia de los dispositivos, el número de ciclos de conmutación, aumentó en 1,5 veces.

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Fuentes
TASS

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