«Выносливость» устройств для нейроморфных компьютеров повысили учёные МГУ и Курчатовского института

Специалисты увеличили число циклов переключения мемристоров в 1,5 раза — шаг к более надёжным вычислениям

Московские учёные из МГУ им. М. В. Ломоносова и НИЦ «Курчатовский институт» повысили эффективность мемристоров — ключевых элементов для нейроморфных компьютеров, имитирующих работу биологических нейронных сетей. По данным пресс‑службы вуза, исследователям удалось увеличить число циклов переключения таких резисторов в 1,5 раза.

Мемристоры отличаются от обычных резисторов тем, что их сопротивление зависит от предшествующих токовых нагрузок. Это придаёт устройствам «память» и позволяет изменять записанные в них состояния, сближая их функции с нервными окончаниями.

Группа физического факультета МГУ и Института ядерной физики им. Д. В. Скобельцына вместе с коллегами из Курчатовского института улучшила характеристики мемристоров путём облучения α‑частицами.

По словам исследователей, контролируемое образование дефектов при радиационном воздействии привело к значительному улучшению: число устойчивых резистивных состояний увеличилось почти втрое, контраст между высоким и низким сопротивлением вырос более чем в два раза, и выносливость устройств — число циклов переключения — возросла в 1,5 раза.

Читайте ещё по теме:

Прорыв в поиске нефти произошёл, благодаря суперкомпьютеру МГУ

Мощности суперкомпьютеров МГУ используют более 2500 учёных

В МГУ разработали новый протокол квантового шифрования

Источники
ТАСС

Сейчас на главной