En la Universidad Estatal de Tomsk (TGU) se desarrollaron prototipos de sensores de microbandas de silicio para su uso en las estaciones del sincrotrón SKIF. Así lo informó el servicio de prensa de la universidad.
En la base del laboratorio de detectores de radiación sincrotrónica del Centro de «Tecnologías перспективные en microelectrónica» de la TGU se diseñaron sensores de microbandas de radiación de rayos X para las tareas que se realizarán en las estaciones de investigación del ЦКП «SKIF». Como base para ellos se utilizan placas de silicio de alta resistencia.
La idoneidad de los sensores se determinó midiendo sus características. El primer lote experimental salió de la línea de montaje y es adecuado para trabajar como parte de detectores multielemento para su instalación en las estaciones del sincrotrón SKIF.
Los sensores de nuestros colegas de Tomsk se utilizaron en un prototipo de detector que actualmente está en pruebas. Estos detectores serán demandados en fuentes de sincrotrón y para difractómetros de laboratorio.
Cabe señalar que todavía no existen sensores de silicio rusos completos para las tareas de SKIF. En el futuro, los científicos planean resolver este problema para el desarrollo de la electrónica rusa.
Anteriormente, www1.ru informó que en Tomsk crearon el primer detector para el sincrotrón SKIF.
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