Ingenieros rusos han desarrollado una plataforma tecnológica para la integración de dispositivos memristores (elementos de memoria analógicos programables eléctricamente con un carácter de conmutación resistiva de umbral - nota de la redacción de www1.ru) en la producción de chips de silicio. Gracias a esto, en el país se podrá crear una memoria memristor RRAM, según informaron en el Centro Nacional de Física y Matemáticas (NЦФМ).
En el servicio de prensa del centro explicaron que se trata de una topología de circuito integrado para la producción de un prototipo de chip de memoria no volátil RRAM mediante la combinación de la tecnología tradicional de silicio y las tecnologías del NЦФМ. Los científicos encontraron una manera de utilizar las capas superiores de metalización en los microchips de silicio para colocar memristores (resistencias con efecto de memoria) en ellos.
Se especifica que los memristores también son necesarios para el desarrollo de análogos artificiales de terminaciones nerviosas. La memoria memristor combina las propiedades de la memoria flash y la memoria operativa, y es importante para el desarrollo de la microelectrónica.
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