Российские инженеры разработали технологическую платформу для интеграции мемристорных устройств (электрически программируемые аналоговые элементы памяти с пороговым характером резистивного переключения - прим. редакции www1.ru) в производство кремниевых чипов. Благодаря этому в стране смогут создать мемристорную память RRAM, заявили в Национальном центре физики и математики (НЦФМ).
В пресс-службе центра пояснили, что речь идет о топологии интегральной схемы для производства прототипа чипа энгергонезависимой памяти RRAM путем сочетания традиционной кремниевой технологии и технологий НЦФМ. Ученые нашли способ, как использовать верхние слои металлизации в кремниевых микрочипах для размещения в них мемристоров (резисторы с эффектом памяти).
Уточняется, что мемристоры также необходимы для разработки искусственных аналогов нервных окончаний. Мемристорная память сочетает свойства флэш-памяти и оперативной памяти и важна для развития микроэлектроники.
Читать по теме:
Компания «Инферит» рассчитывает, что ее материнские платы попадут в реестр Минпромторга
«Инферит» запустила линию поверхностного монтажа во Фрязино
На заводе «Оксид» придумали резистивную пасту, аналогов в мире которой нет
В «Технополисе Москва» начали производство российских материнских плат
