В Санкт-Петербургском университете «ЛЭТИ» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») совместно с компанией New Diamond Technology создали образцы алмазных пластин с добавлением бора. Разработка может быть полезна для силовой электроники ближайшего будущего. Об этом сообщила пресс-служба Министерства науки и высшего образования РФ.
Один из перспективных материалов — синтетический алмаз. Особый интерес вызывают алмазные кристаллы с примесью бора — основа для устройств опто- и микроэлектроники нового поколения.
Для создания полупроводника графит поместили в камеру с высоким давлением (5-6 гигапаскалей) и температурой 1300-1600°C. Это позволило получить алмазный кристалл за несколько дней.
На данный момент получен образец, на основе которого можно изготавливать прототипы электронных устройств. Однако для внедрения разработок в массовое производство необходимо достичь размеров алмазной монокристаллической подложки электронного качества от 2 дюймов и выше с плотностью дислокаций менее 103 в минус второй степени сантиметров.
Ранее www1.ru сообщал, что микросхемы для беспроводной связи и навигации создают в СевГУ.
Читать материалы по теме:
Производство дешёвых микросхем в корпусах из металлополимера запущено в России
В России найден метод сокращения размеров микросхем
