В Санкт-Петербургском университете «ЛЭТИ» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») совместно с компанией New Diamond Technology создали образцы алмазных пластин с добавлением бора. Разработка может быть полезна для силовой электроники ближайшего будущего. Об этом сообщила пресс-служба Министерства науки и высшего образования РФ.

Один из перспективных материалов — синтетический алмаз. Особый интерес вызывают алмазные кристаллы с примесью бора — основа для устройств опто- и микроэлектроники нового поколения.

Для создания полупроводника графит поместили в камеру с высоким давлением (5-6 гигапаскалей) и температурой 1300-1600°C. Это позволило получить алмазный кристалл за несколько дней.

На данный момент получен образец, на основе которого можно изготавливать прототипы электронных устройств. Однако для внедрения разработок в массовое производство необходимо достичь размеров алмазной монокристаллической подложки электронного качества от 2 дюймов и выше с плотностью дислокаций менее 103 в минус второй степени сантиметров.
Василий Зубков, профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ»

Ранее www1.ru сообщал, что микросхемы для беспроводной связи и навигации создают в СевГУ.

Читать материалы по теме:

Производство дешёвых микросхем в корпусах из металлополимера запущено в России

В России найден метод сокращения размеров микросхем

«Микрон» запустил новые сборочные линии, которые позволят производить миллионы российских микросхем и чипов ежегодно

Источники
ТАСС

Сейчас на главной