Идея заключается в разработке нового источника излучения в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне длин волн (ЭУФ) с помощью добавления лития в гелиевый плазменный заряд. Экспериментальный комплекс и источник излучения на его основе разработаны коллективом ученых на кафедре общей физики и ядерного синтеза НИУ «МЭИ».
В пресс-службе университета отмечают, что новый источник имеет повышенный КПД по сравнению с существующими источниками ЭУФ-излучения.
Эксперименты с добавлением лития в гелиевый плазменный разряд показали возможность создания стационарного источника, востребованного технологией ЭУФ-литографии, которая применяется в микроэлектронике для уменьшения характерных размеров элементов схем, в результате чего увеличивается их быстродействие и уменьшается размер изделия.
С помощью этого и других новых решений в университете надеются помочь российскому производству элементов интегральных схем для микроэлектроники и решать общие задачи технологического суверенитета России.
Читать материалы по теме:
С удвоенной теплопроводностью: в Москве разработали фотополимер для охлаждения микроэлектроники
В НИТУ МИСИС создают российские перовскитные рулонные солнечные панели
«Не догоним лидеров ни завтра, ни послезавтра»: эксперт раскритиковал российские микрочипы
