Российская группа компаний «Элемент», ведущий разработчик и производитель микроэлектроники, вложит 4,4 миллиарда рублей в производство силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Проект реализуют на базе НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже, одного из ключевых предприятий группы.
Представитель компании «Элемент» отметил, что проект расширит возможности НИИЭТ в сфере сборки СВЧ- и силовых GaN-транзисторов: запустят производство кристаллов из нитрида галлия. Это сделает НИИЭТ первым в России предприятием с полным циклом выпуска GaN-транзисторов.
Нитрид галлия — передовой полупроводниковый материал. Его уникальные свойства позволяют создавать транзисторы, которые работают при более высоких температурах и частотах, с увеличенной плотностью мощности и энергоэффективностью по сравнению с кремниевыми аналогами. Это делает его идеальным для использования в блоках питания, включая серверные, а также в СВЧ-устройствах, таких как модули усилителей радиосигнала в телекоммуникациях.
Новое производство сможет выпускать 5,5 тысяч 200-миллиметровых пластин в год.
Проект финансируется на льготных условиях через кластерную инвестиционную платформу (КИП). Представитель компании «Элемента» объяснил выбор НИИЭТ для размещения кристального производства наличием у предприятия опыта в серийном выпуске силовых приборов на нитриде галлия.
Ранее www1.ru сообщал, что в GS Nanotech успешно испытали первый отечественный молд-компаунд — материал для герметизации и защиты микросхем. Его разработали в рамках сотрудничества НИУ МИЭТ, АО «Институт Пластмасс» и других научных институтов.
Читать материалы по теме:
Камчатка станет пилотным регионом по разработке новых геотермальных энергетических технологий
ТВЭЛ завершила шестилетнюю модернизацию производства низкообогащённого урана в Зеленогорске
