В Томском политехническом университете (ТПУ) в сотрудничестве с зарубежными коллегами впервые обнаружили перспективный природный материал для фотоэлектроники. Он продемонстрировал хороший фотоотклик даже при низкой интенсивности освещения. Об этом сообщила пресс-служба вуза.
Ученые установили, что при воздействии на дисульфид мышьяка слабого света, он сильно изменяет свои электронные свойства, но при этом не начинает проводить электрический ток.
При воздействии света в двумерном материале происходит перераспределение зарядов. В результате поверхностный электрический потенциал увеличивается до 80 мВ.
Открытые свойства материала делают его перспективным для разработки фототранзисторов и оптических переключателей нового поколения. Ученые планируют изучить свойства и других ультратонких слоев минералов, добываемых в России
Ранее www1.ru сообщал, что в Казани предложили новый материал для аккумуляторов нового поколения.
Читать материалы по теме:
В Сибири испытывают новые морозоустойчивые материалы для российских аккумуляторов
В Новосибирске изготовили двигатели для исследовательского ядерного реактора
