В Новосибирске разработали новые наноструктуры для создания полупроводников

В Новосибирском государственном университете (НГУ) применили новую технологию создания наноструктур для производства полупроводников. Она отличается высокой эффективностью обработки поверхности материалов с минимальным повреждением их структуры. Об этом сообщила пресс-служба Минобрнауки РФ.

Источник изображения сгенерировано нейросетью DALL•Е 3

Для получения наноструктур специалисты использовали газоструйные ионно-кластерные пучки. Такой подход эффективнее импульсного метода. Он позволяет качественно формировать, полировать и распылять наноструктуры.

Для более однородной обработки поверхности мы двигали образец в одном направлении, а для более эффективного формирования наноструктур пучок падал на его поверхность под углом 60 - именно его мы признали оптимальным. В ходе исследований заметили закономерность: чем больше атомов под таким углом падает на образец, тем выше и шире становятся волны на его поверхности.

Иван Николаев, руководитель проекта

Волнообразная структура обеспечивает лучшую проводимость материала для его будущего применения. Наноструктуры востребованы для применения в плазмонике, телекоммуникациях, оптоэлектронике, электронной технике, солнечной энергетике, создании высокочувствительных датчиков и в других сферах.

Ранее www1.ru сообщал, что Россия разработала новый материал для оптоэлектронных устройств ближнего ИК диапазона на кремнии.