El desarrollo de la instalación litográfica rusa con una norma topológica de diseño de 130 nm está llegando a su fin. Las pruebas de aceptación deberían comenzar este otoño y se planea completarlas antes de finales de 2026. Así lo afirmó el jefe del Ministerio de Industria y Comercio, Anton Alikhanov.

Según el ministro, el desarrollo del litógrafo de 130 nm “avanza con confianza hacia su finalización”. Los láseres de excímeros rusos, que son la fuente de radiación para tales instalaciones, ya han sido probados.

Alikhanov también informó que para la siguiente etapa ya se ha preparado la especificación técnica para un fotolitógrafo de escaneo con una resolución de 90 nm. Actualmente se está seleccionando al contratista.

En agosto, ZNTC anunció la fabricación de un prototipo de la instalación fotolitográfica de 130 nm. Está diseñada para trabajar con obleas semiconductoras de hasta 200 mm de diámetro. Como parte del proyecto, también se fabricaron dos prototipos de láser de excímeros con una longitud de onda de 193 nm, fotomáscaras y estructuras de prueba.

El litógrafo es necesario para una de las etapas clave de la fabricación de microcircuitos

La instalación proyecta la imagen del patrón topológico de un circuito integrado sobre la superficie de una oblea semiconductora. Cuanto menor sea la norma topológica, más pequeños serán los elementos del circuito que se pueden formar en el chip.

Primero, se aplica una capa fotosensible, fotorresistencia, a la oblea de silicio. Luego, el litógrafo, como un proyector muy preciso, transfiere una imagen reducida del patrón del microcircuito desde la fotomáscara. Después de la exposición, la fotorresistencia se revela, lo que da como resultado la formación del patrón deseado en la superficie.

Según el patrón obtenido, se realizan las siguientes operaciones del proceso tecnológico, por ejemplo, grabado, implantación iónica o aplicación de nuevas capas. Para formar una estructura multicapa, estas operaciones y la fotolitografía se repiten varias veces.

Toda la oblea generalmente no se expone de una vez. En las instalaciones de tipo paso a paso, el mismo patrón se transfiere secuencialmente a muchas áreas de la oblea. En los sistemas de escaneo, la fotomáscara y la oblea se mueven sincrónicamente con respecto al sistema óptico durante la exposición.