Российская литографическая установка с проектной топологической нормой 130 нм подходит к завершению разработки. Этой осенью должны начаться её приёмочные испытания, а завершить их планируют до конца 2026 года. Об этом рассказал глава Минпромторга Антон Алиханов.

По словам министра, разработка литографа на 130 нм «уверенно движется к завершению». Российские эксимерные лазеры, являющиеся источником излучения для таких установок, уже прошли испытания.

Алиханов также сообщил, что для следующего этапа уже подготовлено техническое задание на сканирующий фотолитограф с разрешением 90 нм. Сейчас идёт отбор исполнителя.

В августе ЗНТЦ сообщил об изготовлении опытного образца 130-нм фотолитографической установки. Она рассчитана на работу с полупроводниковыми пластинами диаметром до 200 мм. В рамках проекта также изготовили два опытных образца эксимерного лазера с длиной волны 193 нм, фотошаблоны и тестовые структуры.

Литограф нужен для одного из ключевых этапов производства микросхем

Установка проецирует изображение топологического рисунка интегральной схемы на поверхность полупроводниковой пластины. Чем меньше топологическая норма, тем более мелкие элементы схемы можно формировать на кристалле.

Сначала на кремниевую пластину наносят светочувствительный слой — фоторезист. Затем литограф как очень точный проектор переносит на него уменьшенное изображение рисунка микросхемы с фотошаблона. После экспонирования фоторезист проявляют, в результате чего на поверхности формируется требуемый рисунок.

По полученному рисунку затем выполняют следующие операции технологического процесса — например, травление, ионную имплантацию или нанесение новых слоёв. Для формирования многослойной структуры эти операции и фотолитографию повторяют неоднократно.

Всю пластину сразу обычно не экспонируют. В установках пошагового типа один и тот же рисунок последовательно переносится на множество участков пластины. В сканирующих системах фотошаблон и пластина во время экспонирования синхронно перемещаются относительно оптической системы.