El grupo de empresas ruso "Element", desarrollador y fabricante líder de microelectrónica, invertirá 4.400 millones de rublos en la producción de transistores de potencia basados en nitruro de galio (GaN). El proyecto se implementará en la base del Instituto de Investigación de Tecnología Electrónica (NIIET) en Vorónezh, una de las empresas clave del grupo.
Un representante de la empresa "Element" señaló que el proyecto ampliará las capacidades del NIIET en el ámbito del montaje de transistores GaN de microondas y de potencia: se lanzará la producción de cristales de nitruro de galio. Esto convertirá al NIIET en la primera empresa de Rusia con un ciclo completo de producción de transistores GaN.
El nitruro de galio es un material semiconductor avanzado. Sus propiedades únicas permiten crear transistores que funcionan a temperaturas y frecuencias más altas, con una mayor densidad de potencia y eficiencia energética en comparación con los análogos de silicio. Esto lo hace ideal para su uso en fuentes de alimentación, incluidas las de servidores, así como en dispositivos de microondas, como los módulos amplificadores de señal de radio en las telecomunicaciones.
La nueva producción podrá fabricar 5.500 placas de 200 milímetros al año.
El proyecto se financia en condiciones preferenciales a través de la plataforma de inversión en clústeres (KIP). Un representante de la empresa "Element" explicó la elección del NIIET para la ubicación de la producción de cristal por la experiencia de la empresa en la producción en serie de dispositivos de potencia basados en nitruro de galio.
Anteriormente, www1.ru informó de que en GS Nanotech se probó con éxito el primer compuesto de moldeo nacional, un material para el sellado y la protección de microcircuitos. Fue desarrollado en el marco de la cooperación entre la Universidad Nacional de Investigación MIET, la AO "Instituto de Plásticos" y otros institutos científicos.
