En la Universidad Politécnica de Tomsk (TPU) desarrollaron una nueva tecnología para crear transistores flexibles con compuerta electrolítica. Así lo informó el servicio de prensa del Ministerio de Ciencia y Educación Superior de la Federación Rusa.
La base de la nueva tecnología son los compuestos basados en óxido de grafeno reducido y un polímero termoplástico. Estos materiales son una lámina de polímero en cuya capa superior se integró una capa conductora de óxido de grafeno reducido.
Las investigaciones demostraron que, mediante reacciones controladas de oxidación y reducción del óxido de grafeno, podemos modificar las propiedades electroquímicas del compuesto en una solución de electrolito, es decir, hacerlo más o menos conductor. Esta tecnología puede sentar las bases para la creación de transistores flexibles con compuerta electrolítica.
Los científicos descubrieron que las propiedades de este material compuesto se pueden ajustar sometiéndolo a un tratamiento electroquímico. Como resultado, el polímero termoplástico en la superficie se destruye y abre el acceso al óxido de grafeno reducido electroactivo. Esto permitirá crear transistores con compuerta eléctrica.
Un transistor con compuerta electrolítica es solo un elemento, pero muy importante, de los biosensores. Se utilizan para detectar iones y biomoléculas. Por ejemplo, proteínas, anticuerpos, iones en fluidos como la saliva y la sangre, e incluso para la investigación del cerebro.
Anteriormente, www1.ru informó que Rusia por primera vez lanzará la producción de cristales de diodos de potencia y transistores basados en silicio y carburo de silicio.
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