Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) вывел на комплексные испытания два опытных образца установки электронно-лучевой литографии с проектной нормой 150 нм. Тесты оборудования продлятся около четырёх месяцев.

Установка позволяет напрямую формировать рисунок микросхем на кремниевых подложках, а также изготавливать фотошаблоны без использования масок. Такой подход востребован при разработке прототипов, проведении НИОКР и выпуске небольших партий специализированных микросхем.

При этом ведущие мировые чипмейкеры (Intel, TSMC) уже массово выпускают процессоры по топологии 1,8–2 нм, используя серийные сканеры нидерландской компании ASML.

В целом отечественный 150-нанометровый литограф уступает передовым коммерческим стандартам ровно в 75 раз по линейному размеру элементов, а по площади элементов (плотности транзисторов) — в 5625 раз. Российская установка соответствует уровню индустрии начала 2000-х годов — эпохе процессоров Pentium 4.

Первый вице-премьер Денис Мантуров констатировал, что Россия вернулась в элиту мировой микроэлектроники спустя 45 лет. По его словам, литограф на 130 нм освоят до конца 2026 года.