Учёные из Алфёровского университета (Санкт-Петербург) совместно с партнерами — АО «ОКБ-Планета» и ООО «Иоффе-ЛЕД» — разработали и запатентовали первые в России фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона (ИК) с чувствительностью к электромагнитному спектру. Новые датчики способны улавливать излучение в диапазоне до 2,65 мкм, что почти вдвое шире, чем у существующих российских аналогов.
Ключевым достижением стало усовершенствование состава арсенида индия-галлия (InGaAs) — полупроводника, используемого в инфракрасных датчиках. Ранее такие сенсоры работали в пределах 0,9–1,7 микрон, но благодаря увеличению доли индия в кристаллах удалось расширить их чувствительность.
Мы разработали технологию, которая позволяет создавать кристаллы InGaAs с рекордным содержанием индия. Это не только существенно расширяет рабочий диапазон детекторов, но и сохраняет их совместимость с существующими производственными процессами. Благодаря этому наши разработки могут быстро выйти на рынок и составить конкуренцию зарубежным аналогам.
Новые фотодиоды могут использоваться в:
- Приборах ночного видения — улучшенная детализация изображения даже в условиях высокой влажности или облачности.
- Газовых анализаторах — точное измерение концентрации метана и CO₂, что важно для экологического контроля.
Разработка выполнена при поддержке Российского научного фонда (РНФ) и Фонда содействия инновациям.
Читайте ещё материалы по теме:
ГМО-бактерии выявили опасные токсины в экосистеме северных морей
Курс на Венеру: МАИ создаёт технологии для миссий на отдалённую планету
Сверхчёткие фото Земли: спутник «Арктик-М» помогает запечатлеть всю красоту нашей планеты
