En la Universidad Estatal de Nizhny Novgorod (NNGU) se creó una suspensión de pulido para obleas semiconductoras a base de dióxido de silicio purificado. Permite controlar el tamaño y la forma de las partículas, así como reducir las impurezas, informó la universidad a TASS.

Los científicos del laboratorio de investigación de ingeniería química del Instituto de Investigación de Química obtuvieron una patente para el método de purificación de dióxido de silicio amorfo en octubre de 2026. La línea tecnológica y el reglamento para la obtención del material ya están listos, y la suspensión creada fue enviada a un socio industrial para pruebas. El trabajo se lleva a cabo desde 2024 bajo el programa "Prioridad-2030".

La calidad del procesamiento de las obleas, y por lo tanto la fiabilidad y el rendimiento de los chips, depende del tamaño, la forma y la uniformidad de las nanopartículas. Anteriormente, los abrasivos de alta pureza se compraban en el extranjero, y las restricciones de suministro afectaban a la industria. Nuestra propia suspensión reduce la dependencia de las importaciones, pero este es solo el primer paso: la ampliación y la confirmación de la estabilidad por parte del fabricante están por delante. Si las características se confirman en la producción en masa, la microelectrónica rusa obtendrá un consumible nacional, sin el cual las obleas no se pueden pulir.