Полировальную суспензию для полупроводниковых пластин создали на основе очищенного диоксида кремния в Нижегородском государственном университете имени Лобачевского (ННГУ). Она позволяет контролировать размер и форму частиц, а также снижать примеси, сообщили ТАСС в вузе.
Патент на способ очистки аморфного диоксида кремния учёные научно-исследовательской лаборатории инженерной химии НИИ химии получили в октябре 2026 года. Технологическая линия и регламент получения материала уже готовы, а созданную суспензию отправили индустриальному партнёру для испытаний. Работа идёт с 2024 года по программе «Приоритет-2030».
От размера, формы и однородности наночастиц зависит качество обработки пластин, а значит — надёжность и производительность чипов. Раньше высокочистые абразивы закупали за рубежом, и ограничения поставок били по отрасли. Своя суспензия снижает зависимость от импорта, но это лишь первый шаг: впереди масштабирование и подтверждение стабильности у промышленника. Если характеристики подтвердятся на потоке, российская микроэлектроника получит отечественный расходник, без которого пластины не отполировать.
Читайте ещё материалы по теме:
Не пропускайте наши новостиДобавьте сайт в предпочитаемые источники, чтобы видеть нас чащеДобавить в Google
