Физики из НИТУ МИСИС, МПГУ, НИУ ВШЭ, НИУ МЭИ и Сколтеха выяснили, что нарушает квантовые состояния в тонких плёнках нитрида титана. Этот материал используют для создания кубитов и других элементов сверхпроводниковых квантовых устройств.
Исследователи сравнили разные механизмы рассеяния электронов и обнаружили неожиданный результат. Взаимодействие электронов между собой объясняет около 5% наблюдаемого эффекта, а рассеяние на колебаниях кристаллической решётки — менее 10%.
При этом скорость потери фазовой когерентности почти не зависит от температуры. По мнению учёных, это согласуется с другим механизмом — магнитным рассеянием, связанным с хаотичным распределением локальных магнитных моментов.
Эксперименты показали, что электрон-электронное взаимодействие объясняет около 5% наблюдаемого эффекта, а вклад электрон-фононного рассеяния составляет менее 10%.
По мере уменьшения толщины плёнки плотность магнитных дефектов увеличивается. Это указывает на их расположение преимущественно вблизи поверхности материала.
Открытие важно для разработки квантовой электроники — даже небольшие дефекты поверхности могут ухудшать характеристики сверхпроводниковых устройств. Учёные предлагают отдельно контролировать состояние поверхности и защищать её от окисления.
Читайте ещё материалы по теме:
- Тонкий слой, большая проблема: учёные МИСИС, РУДН и РХТУ снизили сопротивление графена почти в 18 раз
- Алюминиевый сплав нового поколения разработали учёные НИТУ МИСИС совместно с испанскими коллегами
- Для лазерной техники и микроэлектроники: учёные МГУ имени Огарёва нашли способ, как контролировать поры в металлических покрытиях
Не пропускайте наши новостиДобавьте сайт в предпочитаемые источники, чтобы видеть нас чащеДобавить в Google
