Специалисты МФТИ создали первую в России технологию изготовления транзисторов из дисульфида молибдена — двумерного материала, который может прийти на смену кремнию. Разработка открывает путь к более компактным, гибким и прозрачным электронным устройствам.

Кремний приближается к физическому пределу: при толщине структур менее 2 нанометров возникают утечки энергии и перегрев. Дисульфид молибдена позволяет уменьшить эту толщину до 0,65 нанометра, а выигрыш в энергоэффективности может достигать сотен раз, пояснил старший научный сотрудник МФТИ Илья Завидовский. Новый материал совместим с существующими вычислительными системами, что упрощает его внедрение в производство.

Главная проблема при использовании дисульфида молибдена — хрупкость структуры, которая повреждалась при нанесении электродов. Учёные МФТИ решили её, применив метод атомно-слоевого осаждения и создав защитную прослойку из диоксида титана толщиной в несколько атомов. Разработанный подход универсален: его можно применять для других двумерных материалов — дисульфида вольфрама, селенидов молибдена и вольфрама.

В январе 2026 года китайская Shanghai Atomic Technology запустила первую демонстрационную линию по производству микропроцессоров из дисульфида молибдена. В России также ведутся аналогичные работы: в марте 2025 года сообщалось о создании в ЛЭТИ прототипа транзистора на основе карбида кремния. Переход на новые материалы особенно важен для развития искусственного интеллекта, где ключевая проблема — высокое энергопотребление.