Минпромторг запускает два проекта по импортозамещению оборудования для эпитаксии — процесса выращивания слоёв кремния и арсенида галлия для производства чипов, сообщает CNews. Разработки должны заменить установки американской Veeco, французской Riber и нидерландской ASM, поставки которых в Россию заблокировали.
На разработку установки молекулярно-лучевой эпитаксии для получения гетероструктур на основе соединений индия, алюминия, галлия и арсенида выделили 1,5 миллиарда рублей. Ещё 463,7 миллиона рублей направят на создание установки для выращивания слоёв кремний-германия на кремниевых пластинах диаметром 200 миллиметров методом газофазной эпитаксии. Оба тендера опубликовали 1 июня 2026 года на портале госзакупок.
Установка «Эпитаксия-SiGe» должна заменить нидерландское оборудование ASM Epsilon 2000, которое используют для выращивания эпитаксиальных слоёв на пластинах 200 мм. Установка «Цитадель» призвана заменить французскую Riber 49 и американскую Veeco GEN200 — прямых отечественных аналогов сегодня не существует. Она предназначена для получения гетероструктур на пластинах диаметром 76 и 100 миллиметров.
В рамках НИР «Эпитаксия-SiGe» исполнитель должен провести моделирование и изготовить три макета ключевых узлов: реактор газофазной эпитаксии, робот-загрузчик и модуль предэпитаксиальной обработки. Реактор должен выдерживать нагрев до 1180 градусов Цельсия и работать в диапазоне давлений от низкого вакуума до атмосферного. Скорость роста слоя кремния — не менее 6 микрометров в час, кремний-германиевого слоя — не менее 0,5 микрометра в час с содержанием германия от 10 процентов.
По ОКР «Цитадель» разработчик должен создать конструкторскую документацию и изготовить опытный образец установки с групповой загрузкой подложек. Установка должна обрабатывать одновременно не менее пяти подложек диаметром 76 миллиметров или трёх подложек диаметром 100 миллиметров. Требования к точности высоки: однородность толщины слоёв на пластине — не более 3 процентов, однородность легирования n-типа — не более 5 процентов, p-типа — не более 20 процентов.
Критические комплектующие — вакуумные камеры и насосы, молекулярные источники, запорно-вакуумная арматура, центральный контроллер и программное обеспечение — должны быть российского производства. Иностранные детали допускаются только при обосновании и письменном согласовании с Минпромторгом. Работы по «Эпитаксии-SiGe» завершат к июню 2029 года, по «Цитадели» — к октябрю 2030 года.
Читайте ещё материалы по теме:
