Перспективный материал для оптоэлектроники открыли в в Томском политехническом университете

Материал планируют использовать для разработки фототранзисторов и оптических переключателей

В Томском политехническом университете (ТПУ) в сотрудничестве с зарубежными коллегами впервые обнаружили перспективный природный материал для фотоэлектроники. Он продемонстрировал хороший фотоотклик даже при низкой интенсивности освещения. Об этом сообщила пресс-служба вуза.

Ученые установили, что при воздействии на дисульфид мышьяка слабого света, он сильно изменяет свои электронные свойства, но при этом не начинает проводить электрический ток.

При воздействии света в двумерном материале происходит перераспределение зарядов. В результате поверхностный электрический потенциал увеличивается до 80 мВ.
<b>Гарсия Бальса Аура Самид, </b>сотрудник Исследовательской школы химических и биомедицинских технологий

Открытые свойства материала делают его перспективным для разработки фототранзисторов и оптических переключателей нового поколения. Ученые планируют изучить свойства и других ультратонких слоев минералов, добываемых в России

Ранее www1.ru сообщал, что в Казани предложили новый материал для аккумуляторов нового поколения.

Читать материалы по теме:

В Сибири испытывают новые морозоустойчивые материалы для российских аккумуляторов

В Новосибирске изготовили двигатели для исследовательского ядерного реактора

Росатом будет выпускать до 3 тысяч роботов в год