En el Instituto de Automatización y Procesos de Control de la Rama del Lejano Oriente de la Academia de Ciencias de Rusia, se ha desarrollado un nuevo método para crear fotodetectores de silicio sensibles a la luz polarizada. La nueva tecnología puede aplicarse en medicina y optoelectrónica. Así lo informó el servicio de prensa de la Fundación Científica Rusa.
Los científicos probaron los fotodetectores de silicio dirigiéndoles luz (verde, amarilla, naranja, roja e infrarroja) de ondas de diferente longitud (de 500 a 1600 nanómetros). Los resultados mostraron que los fotodetectores son capaces de distinguir la polarización de la luz en el rango de 700 a 1100 nanómetros (correspondiente a los espectros rojo e infrarrojo). La eficiencia de captación de la luz incidente fue del 100%.
La tecnología propuesta puede utilizarse en la creación de fotodetectores de alto contraste para trabajar con preparados y tejidos médicos y biológicos. Además, con este enfoque se puede adaptar un fotodetector de silicio común para trabajar en líneas de comunicación de fibra óptica, que proporcionan conexión a Internet.
La nueva tecnología no requiere equipos costosos ni productos químicos tóxicos. Esto simplifica su introducción en la producción industrial.
Anteriormente, www1.ru informó que Rusia desarrolló un nuevo material para dispositivos optoelectrónicos de rango IR cercano en silicio.
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