Se crea un nuevo centro de diseño de microelectrónica en San Petersburgo

Se planea gastar más de mil millones de rublos en el desarrollo del presupuesto y la compra de equipos para el centro

En Rusia se está creando un nuevo centro de diseño de microelectrónica en la base del Instituto de Investigación Científica de Metrología de toda Rusia D. I. Mendeleev (VNIIM D. I. Mendeleev) en San Petersburgo. El diseño y la compra de equipos para el centro costarán más de mil millones de rublos.

El centro se creará en el marco del programa estatal "Desarrollo de la industria electrónica y de radioelectrónica" y estará ubicado en Lomonósov (que forma parte de San Petersburgo). Incluirá equipos para probar microcircuitos digitales, semiconductores y productos de alto voltaje, cuyo costo total será de unos 640 millones de rublos. También se creará un laboratorio para investigar gases y materiales especiales para la industria electrónica, incluidos cromatógrafos de gases y analizadores de gases, cuyo costo de equipo será de aproximadamente 472 millones de rublos.

El objetivo principal del centro de diseño es llevar a cabo funciones clave en la regulación técnica de equipos de radioelectrónica y microelectrónica de frecuencia ultra alta a nivel nacional e internacional.

VNIIM D. I. Mendeleev, en cuya base se está creando el centro, es uno de los principales centros mundiales en el campo de la metrología y la principal organización del país para la investigación fundamental en este campo.

Actualmente, se ha anunciado un concurso abierto para el desarrollo de la documentación de diseño y presupuesto con un costo de 84,6 millones de rublos. Las solicitudes de participación se aceptan hasta el 28 de agosto de 2024, y el presupuesto debe estar listo para el 15 de febrero de 2025.

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