Исследователи из Новосибирского государственного университета создали инновационные материалы, которые могут стать основой для разработки передовых запоминающих устройств будущего. Эти устройства будут превосходить флеш-память по количеству циклов перезаписи, объёму памяти и скорости работы, сообщили в НГУ.
В университете объяснили, что сейчас технологии достигли такого уровня, когда из флеш-памяти уже выжали всё возможное. Достигнуты максимальные показатели по количеству циклов перезаписи, длительности использования и объёму памяти на один элемент. Дальнейшее многократное увеличение этих параметров с помощью существующих технологий невозможно.
Помочь преодолеть эти ограничения может новый тип памяти, вроде мемристора. Существуют и другие типы памяти, но именно мемристор отличается тем, что при его применении можно на порядки увеличить количество циклов перезаписи по сравнению с флеш-памятью…
Он также отметил, что существуют научные работы, в которых авторы демонстрируют, что процесс перезаписи данных в мемристорах происходит гораздо быстрее, чем во флеш-памяти. Если у флеш-памяти цикл перезаписи занимает доли микросекунд, то в случае с мемристорами речь идёт о десятках наносекунд или даже пикосекундах.
В Новосибирском государственном университете объяснили, что оксид кремния — это один из самых распространённых изоляторов, который используется в производстве различных электронных компонентов.
Кремний-германиевые стёкла представляют собой смесь оксидов кремния и германия. Ранее учёные изучали свойства этих веществ по отдельности.
Однако сибирские исследователи решили объединить свойства кремния и германия и впервые в мире обнаружили в этих материалах мемристорный эффект, также известный как «эффект памяти». Они также изучили их оптоэлектрические свойства и сейчас исследуют процессы, происходящие в этих материалах при протекании электрического тока.
Германо-силикатные стекла с таким составом, кроме нас, пока не исследовал никто, а мы хотели бы получить в перспективе из данного материала современные элементы памяти, которые превосходили бы привычную нам флеш-память (Flash USB drive) по количеству циклов перезаписи, долговечности, эффективности и надежности.
Важность исследования состоит в том, что его результаты позволяют учёным теоретически определить характеристики мемристора без необходимости выращивания его наноструктуры.
Ранее российские учёные разработали модуль, который способен идентифицировать пользователей по их уникальному клавиатурному почерку. Этот модуль направлен на повышение уровня безопасности доступа к информационным системам предприятий.
Читать материалы по теме:
Биометрический профиль появился у 18 миллионов россиян
Новейший атомный реактор ВВЭР-С мощностью 600 МВт разработают в России
ЦБ поддержал введение биометрии при выдаче микрозаймов онлайн
