Científicos rusos han probado con éxito la primera instalación industrial para la obtención de cristales de nitruro de galio en sustratos de silicio. Este evento marca un paso importante en el desarrollo de la microelectrónica nacional. El nitruro de galio es un material clave para la creación de componentes electrónicos de alta frecuencia. Rusia se ha convertido en el cuarto país del mundo que ha comenzado a producir este tipo de equipos. Se planea lanzar la producción en serie de la instalación este año.
¿Cómo se realiza el crecimiento de cristales?
La instalación fue desarrollada por científicos e ingenieros de AO «НИИТМ», el Centro Científico y Tecnológico de Microelectrónica de la Academia de Ciencias de Rusia y ООО «Софт-Импакт». El equipo creado permite obtener cristales en sustratos de hasta 200 mm de diámetro. Los especialistas subrayan que este proceso, conocido como epitaxia, se ha convertido en la base para la creación de microchips. En el proceso de crecimiento de cristales se utilizan gases especiales que, a alta temperatura, se depositan sobre el sustrato, formando las capas necesarias.
La instalación puede producir hasta 2000 placas al año, lo que supondrá un volumen significativo, teniendo en cuenta que en una placa pueden ubicarse muchos transistores.
Ventajas y perspectivas
Una de las principales ventajas de la nueva instalación será la posibilidad de su explotación y mantenimiento autónomo por parte de especialistas rusos. Se reducirá significativamente la dependencia de proveedores extranjeros y se abrirán nuevos horizontes para la investigación científica.
Las características del nitruro de galio permiten su uso en los dispositivos más potentes. Por ejemplo, en la microelectrónica de control para estaciones de carga rápida.
Según ella, los componentes basados en nitruro de galio pueden utilizarse en diversos dispositivos, incluyendo estaciones de carga y sistemas de visión artificial para vehículos no tripulados.
Actualmente, el mercado de productos basados en nitruro de galio se encuentra en fase de formación, pero su potencial es comparable al de la electrónica de silicio. Максим Ганыкин, subdirector general de АО «НИИМЭ», señaló que la disponibilidad de tecnologías nacionales permitirá resolver los problemas de adquisición de equipos en el extranjero y proporcionará una base de componentes moderna para diversos sectores, incluyendo las telecomunicaciones y la energía.
La nueva instalación para el crecimiento de cristales de nitruro de galio abre a Rusia oportunidades para el desarrollo de la microelectrónica y la reducción de la dependencia de las importaciones. Su lanzamiento será un paso importante hacia la creación de una producción de alta tecnología y el fortalecimiento de la posición del país en el mercado mundial.
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