Диэлектрик для транзисторов будущего улучшили учёные Курчатовского института и ИФП СО РАН
Диоксид гафния с оксидом алюминия может заменить кремний в затворах
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Управляемый квантовый кристалл с уникальными свойствами создали учёные из России, Австралии и Великобритании
Исследователи получили систему, где электронные свойства можно менять напряжением и магнитным полем
Медицина будущего: учёные РАН создали графеновый датчик на маске, выявляющий заболевания по дыханию
Устройство улавливает следы ацетона и других маркеров хронических заболеваний
Полупроводники начнут выращивать на МКС: стартовал российский эксперимент «Экран-М»
Подобные исследования ранее в мире не проводились