
Радиационно стойкую флеш-память для орбитальных дата-центров создали учёные ИФП СО РАН
В основе — диэлектрические плёнки с «ловушками» для электронов

В основе — диэлектрические плёнки с «ловушками» для электронов

Датчик стал точнее благодаря ультратонкому слою полупроводника

Инновационный способ помогает увеличить возможности современных атомно-силовых микроскопов и изучать вещества на масштабе единиц нанометров

Запуск аппарата запланирован на 2031 год

Этот метод проще в применении, легко масштабируется и не требует редких или опасных материалов

Разработка обеспечит высокую эффективность работы в ультрафиолетовом диапазоне