Учёные Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена стали победителями конкурса инновационных проектов Санкт-Петербурга 2026 года в номинации «Физика и математика», сообщили «Первому техническому» в пресс-службе вуза. Их работа посвящена материалам, которые могут ускорить создание запоминающих устройств нового поколения. Проект докторов физико-математических наук Аллы Марченко и Павла Серегина «Мессбауэровское исследование структуры ближнего порядка аморфных и кристаллических плёнок (GeTe)x(Sb2Te3)» изучает сплав германия, сурьмы и теллура (GeSbTe) — материал, который уже используется в современных компьютерных чипах и перезаписываемых дисках.

Понимание изменений в его структуре при переходе из аморфного состояния в кристаллическое и обратно критически важно для создания более быстрых, надёжных и энергоэффективных устройств хранения данных. Учёные опирались на идеи физиков середины XX века — Абрама Иоффе и Алексея Регеля, доказавших, что свойства полупроводников зависят не от общей структуры, а от локального расположения атомов.

Как рассказала Алла Марченко, им впервые удалось показать, что фазовый переход сопровождается изменением валентного состояния и координационного числа только атомов германия. При этом локальное окружение сурьмы и теллура остаётся неизменным. В аморфном состоянии атомы германия выстраиваются в устойчивые «пирамидки» (тетраэдр), а в кристаллическом — перегруппировываются в искажённый октаэдр. Полученные экспериментальные данные приближают практическое воплощение идей в устройствах хранения информации следующего поколения. Конкурс лучших инновационных проектов проводится правительством Санкт-Петербурга с 2024 года для поддержки разработок с высоким научным и практическим потенциалом.