
Científicos del Kurchatov Institute y del IFP SB RAS mejoran el dieléctrico para los transistores del futuro
El dióxido de hafnio con óxido de aluminio puede reemplazar al silicio en las puertas

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Los investigadores obtuvieron un sistema donde las propiedades electrónicas pueden cambiarse con voltaje y campo magnético

El dispositivo detecta rastros de acetona y otros marcadores de enfermedades crónicas