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Ingenieros de VTSMO de Vladimir crean una bomba turbomolecular para semiconductores

La holgura radial entre el rotor y el estator se redujo a 1,4 mm

Los diseñadores de la empresa VTSMO de Vladimir han desarrollado una nueva bomba turbomolecular de alto vacío. Este equipo es necesario para la producción de semiconductores, microelectrónica, recubrimientos ópticos, paneles solares, componentes de satélites y motores de aviación.

La característica principal del nuevo desarrollo es un esquema híbrido inusual que combina dos tecnologías de bombeo de gas: turbomolecular y molecular.

El diseño utiliza 6 etapas de trabajo con palas y 4 etapas moleculares adicionales con discos lisos, que proporcionan una compresión de gas adicional.

Los especialistas redujeron la holgura radial entre el rotor y el estator a 1,4 mm, lo que permitió reducir las fugas de gas inversas.

Al mismo tiempo, la bomba resultó ser notablemente más compacta que sus competidores: su masa se redujo en un 10-15% y sus dimensiones en un 15-20%, manteniendo un rendimiento de al menos 1000 litros de gas por minuto.

Otra característica es el uso de rodamientos cerámicos híbridos, diseñados para que el rotor funcione a velocidades de hasta 30 mil revoluciones por minuto.

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