Investigadores de la Universidad Estatal de Novosibirsk crearon materiales innovadores que pueden convertirse en la base para el desarrollo de dispositivos de almacenamiento avanzados del futuro. Estos dispositivos superarán a la memoria flash en cantidad de ciclos de reescritura, volumen de memoria y velocidad de trabajo, informaron en la NGU.
En la universidad explicaron que actualmente las tecnologías han alcanzado un nivel en el que ya se ha exprimido todo lo posible de la memoria flash. Se han alcanzado los máximos indicadores en cuanto a la cantidad de ciclos de reescritura, la duración del uso y el volumen de memoria por elemento. Es imposible aumentar aún más estos parámetros con las tecnologías existentes.
Un nuevo tipo de memoria, como el memristor, puede ayudar a superar estas limitaciones. Existen otros tipos de memoria, pero el memristor se distingue porque, al aplicarlo, se puede aumentar en órdenes de magnitud la cantidad de ciclos de reescritura en comparación con la memoria flash…
También señaló que existen trabajos científicos en los que los autores demuestran que el proceso de reescritura de datos en los memristores ocurre mucho más rápido que en la memoria flash. Si en la memoria flash el ciclo de reescritura tarda fracciones de microsegundos, en el caso de los memristores se habla de decenas de nanosegundos o incluso picosegundos.
En la Universidad Estatal de Novosibirsk explicaron que el óxido de silicio es uno de los aislantes más comunes que se utiliza en la producción de diversos componentes electrónicos.
Los vidrios de silicio-germanio representan una mezcla de óxidos de silicio y germanio. Anteriormente, los científicos estudiaron las propiedades de estas sustancias por separado.
Sin embargo, los investigadores siberianos decidieron combinar las propiedades del silicio y el germanio y, por primera vez en el mundo, descubrieron en estos materiales el efecto memristor, también conocido como "efecto de memoria". También estudiaron sus propiedades optoelectrónicas y ahora están investigando los procesos que ocurren en estos materiales cuando fluye corriente eléctrica.
Nadie más que nosotros ha investigado hasta ahora los vidrios de germanosilicato con esta composición, y nos gustaría obtener en el futuro elementos de memoria modernos a partir de este material que superen a la memoria flash (Flash USB drive) que conocemos en cuanto a la cantidad de ciclos de reescritura, durabilidad, eficiencia y fiabilidad.
La importancia de la investigación radica en que sus resultados permiten a los científicos determinar teóricamente las características del memristor sin necesidad de cultivar su nanoestructura.
Anteriormente, científicos rusos desarrollaron un módulo que es capaz de identificar a los usuarios por su única escritura a máquina. Este módulo está dirigido a aumentar el nivel de seguridad del acceso a los sistemas de información de las empresas.
Leer materiales sobre el tema:
Un perfil biométrico apareció en 18 millones de rusos
En Rusia se desarrollará el reactor nuclear más nuevo VVER-S con una capacidad de 600 MW
El Banco Central apoyó la introducción de la biometría al emitir micropréstamos en línea