Россия на пути к микроэлектронной независимости: создана установка для роста кристаллов полупроводников

Инновационное оборудование для производства нитрида галлия откроет новые горизонты в отечественной микроэлектронике

Российские учёные успешно испытали первую промышленную установку для получения кристаллов нитрида галлия на кремниевых подложках. Событие знаменует собой важный шаг в развитии отечественной микроэлектроники. Нитрид галлия – ключевой материал для создания высокочастотных электронных компонентов. Россия стала четвертой страной в мире, которая начала производить такое оборудование. Серийное производство установки планируется запустить в этом году.

Как происходит выращивание кристаллов

Установку разработали учёные и инженеры из АО «НИИТМ», НТЦ микроэлектроники РАН и ООО «Софт-Импакт». Созданное оборудование позволяет получать кристаллы на подложках диаметром до 200 мм. Специалисты подчеркивают, что этот процесс, известный как эпитаксия, стал основой для создания микрочипов. В процессе выращивания кристаллов используются специальные газы, которые при высокой температуре осаждаются на подложку, формируя необходимые слои.

Установка может производить до 2000 пластин в год, что станет значительным объемом, учитывая, что на одной пластине может разместиться множество транзисторов.

Преимущества и перспективы

Одним из главных достоинств новой установки станет возможность её самостоятельной эксплуатации и обслуживания российскими специалистами. Значительно снизится зависимость  от зарубежных поставщиков и откроются новые горизонты для научных исследований.

  Характеристики нитрида галлия позволяют применять его в составе самых мощных устройств. Например, в управляющей микроэлектронике для быстрых зарядных станций.  

Юлия Сухорослова, директор направления электронного машиностроения  ГК «Элемент»

По ее словам, компоненты на основе нитрида галлия могут использоваться в различных устройствах, включая зарядные станции и системы машинного зрения для беспилотных автомобилей.

Сейчас рынок изделий на основе нитрида галлия находится на стадии формирования, но его потенциал сопоставим с кремниевой электроникой. Максим Ганыкин, заместитель генерального директора АО «НИИМЭ», отметил, что наличие отечественных технологий позволит решить проблемы с закупкой оборудования за границей и обеспечит современную компонентную базу для различных отраслей, включая телекоммуникации и энергетику.

Новая установка для роста кристаллов нитрида галлия открывает перед Россией возможности для развития микроэлектроники и уменьшения зависимости от импорта. Ее запуск станет важным шагом к созданию высокотехнологичного производства и укреплению позиций страны на мировом рынке.

Читайте ещё по теме:

Средства для управления высокочастотной магнитной микроэлектроникой разрабатывают в России

Эксперт раскритиковал российские микрочипы

Квантовый процессор с 40 кубитами разработали в МФТИ