Учёные Алфёровского университета, которые входят в консорциум Центра компетенций НТИ «Фотоника», впервые в России получили полупроводниковые кристаллы нитрида индия высокого качества на кремнии. Этот перспективный материал может войти в начинку фотодетекторов ближнего ИК-диапазона, датчиков газа, устройств передачи информации на дальние расстояния по оптоволоконным линиям связи, устройств квантовых телекоммуникаций и фотонных интегральных схем.
Российское решение дешевле более чем в пять раз своих зарубежных аналогов. Диапазон излучения нитрида индия составляет около 1,5–2 мкм, а переход к квантоворазмерным структурам, таким как квантовые точки, позволит создавать эффективные лазеры для передачи информации по оптоволоконным линиям связи.
Для решения используются кремниевые подложки, которые стоят примерно от 5 долларов за один экземпляр. А иностранные аналоги для создания лазеров в ближнем ИК диапазоне из арсенида галлия обходятся от примерно 80 долларов за штуку.
В России усовершенствовали сталь Гадфильда – она стала еще прочнее
Российские ученые создали сверхпрочную керамику, используя кожуру экзотического фрукта