Especialistas del MIPT han creado la primera tecnología en Russia para fabricar transistores de disulfuro de molibdeno, un material bidimensional que podría reemplazar al silicio. El desarrollo abre el camino a dispositivos electrónicos más compactos, flexibles y transparentes.
El silicio se acerca a su límite físico: con estructuras de menos de 2 nanómetros de espesor, se producen fugas de energía y sobrecalentamiento. El disulfuro de molibdeno permite reducir este espesor a 0,65 nanómetros, y la ganancia en eficiencia energética puede alcanzar cientos de veces, explicó Ilya Zavidovsky, investigador principal del MIPT. El nuevo material es compatible con los sistemas informáticos existentes, lo que simplifica su implementación en la producción.
El principal problema al usar disulfuro de molibdeno es la fragilidad de la estructura, que se dañaba al aplicar los electrodos. Los científicos del MIPT lo resolvieron aplicando el método de deposición de capas atómicas y creando una capa protectora de dióxido de titanio de unos pocos átomos de espesor. El enfoque desarrollado es universal: se puede aplicar a otros materiales bidimensionales, como el disulfuro de tungsteno, los seleniuros de molibdeno y tungsteno.
En enero de 2026, la empresa china Shanghai Atomic Technology lanzó la primera línea de demostración para la producción de microprocesadores de disulfuro de molibdeno. En Russia también se están llevando a cabo trabajos similares: en marzo de 2025 se informó de la creación de un prototipo de transistor basado en carburo de silicio en LETI. La transición a nuevos materiales es especialmente importante para el desarrollo de la inteligencia artificial, donde el problema clave es el alto consumo de energía.
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