El Ministerio de Industria y Comercio lanza dos proyectos para la sustitución de importaciones de equipos para epitaxia, el proceso de crecimiento de capas de silicio y arseniuro de galio para la producción de chips, informa CNews. Los desarrollos deben reemplazar los equipos de la estadounidense Veeco, la francesa Riber y la holandesa ASM, cuyos suministros a Russia han sido bloqueados.
Se asignaron 1.5 mil millones de rublos para el desarrollo de una instalación de epitaxia de haz molecular para obtener heteroestructuras basadas en compuestos de indio, aluminio, galio y arseniuro. Otros 463.7 millones de rublos se destinarán a la creación de una instalación para el crecimiento de capas de silicio-germanio en obleas de silicio de 200 milímetros de diámetro mediante el método de epitaxia en fase gaseosa. Ambas licitaciones se publicaron el 1 de junio de 2026 en el portal de adquisiciones públicas.
La instalación "Epitaxia-SiGe" debe reemplazar el equipo holandés ASM Epsilon 2000, que se utiliza para el crecimiento de capas epitaxiales en obleas de 200 mm. La instalación "Tsytadel" está diseñada para reemplazar la francesa Riber 49 y la estadounidense Veeco GEN200; actualmente no existen análogos nacionales directos. Está destinada a obtener heteroestructuras en obleas de 76 y 100 milímetros de diámetro.
En el marco del trabajo de investigación "Epitaxia-SiGe", el contratista debe realizar un modelado y fabricar tres maquetas de los nodos clave: un reactor de epitaxia en fase gaseosa, un robot cargador y un módulo de procesamiento pre-epitaxial. El reactor debe soportar un calentamiento de hasta 1180 grados Celsius y operar en un rango de presiones desde vacío bajo hasta atmosférico. La velocidad de crecimiento de la capa de silicio debe ser de al menos 6 micrómetros por hora, y la de la capa de silicio-germanio de al menos 0.5 micrómetros por hora con un contenido de germanio de al menos 10 por ciento.
Según el trabajo de desarrollo experimental "Tsytadel", el desarrollador debe crear la documentación de diseño y fabricar un prototipo de la instalación con carga grupal de sustratos. La instalación debe procesar simultáneamente al menos cinco sustratos de 76 milímetros de diámetro o tres sustratos de 100 milímetros de diámetro. Los requisitos de precisión son altos: la uniformidad del espesor de las capas en la oblea no debe exceder el 3 por ciento, la uniformidad del dopaje de tipo n no debe exceder el 5 por ciento, y la de tipo p no debe exceder el 20 por ciento.
Los componentes críticos (cámaras de vacío y bombas, fuentes moleculares, válvulas de cierre y vacío, controlador central y software) deben ser de producción rusa. Se permiten piezas extranjeras solo con justificación y acuerdo por escrito con el Ministerio de Industria y Comercio. Los trabajos en "Epitaxia-SiGe" finalizarán en junio de 2029, y en "Tsytadel" en octubre de 2030.