El 11 de septiembre de 2025, la instalación "Ekran-M", desarrollada por el Instituto de Física de Semiconductores A.V. Rzhanov SB RAS por encargo de la Corporación Espacial de Cohetes "Energía", fue entregada a la Estación Espacial Internacional (ISS) por la nave de carga "Progress MS-32". El equipo está diseñado para la síntesis de semiconductores de alta pureza en condiciones de vacío espacial.
La instalación "Ekran-M" utiliza el método de epitaxia de haz molecular para crear materiales semiconductores con precisión atómica. El proyecto está dirigido a estudiar las posibilidades del vacío espacial, que permite alcanzar parámetros de pureza ultra altos, inalcanzables en la Tierra. La instalación ha superado todas las pruebas previas al vuelo y es el único programa de investigación de este tipo en el mundo. En órbita, los astronautas realizarán dos ciclos de síntesis de arseniuro de galio, cada uno con una duración de aproximadamente dos semanas. La primera etapa del experimento incluye la instalación del equipo y la carga de un casete con seis sustratos. Los materiales obtenidos se compararán con análogos terrestres para evaluar sus propiedades.
El diseñador jefe Alexander Nikiforov señaló que el equipo fue creado teniendo en cuenta las limitaciones de peso, la resistencia a la radiación y las peculiaridades del comportamiento de los materiales en ingravidez. Por ejemplo, para evitar la dispersión de líquidos en ingravidez, se utilizó una membrana protectora con microagujeros.
Los trabajos en el proyecto comenzaron en 1996 bajo la dirección del profesor Oleg Pchelyakov. "Ekran-M" forma parte de un programa de investigación a largo plazo en la ISS, aprobado por "Roscosmos". Los resultados del experimento pueden convertirse en la base de futuras tecnologías para la producción orbital de semiconductores, incluidos materiales para células solares y electrónica.
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