Científicos de la Universidad Alferov (San Petersburgo), junto con sus socios — AO «OKB-Planeta» y OOO «Ioffe-LED» — han desarrollado y patentado los primeros fotodiodos de rango infrarrojo cercano (IR) en Rusia con sensibilidad al espectro electromagnético. Los nuevos sensores son capaces de captar la radiación en un rango de hasta 2,65 μm, que es casi el doble de ancho que los análogos rusos existentes.
El logro clave fue la mejora de la composición del arsenuro de indio-galio (InGaAs) — un semiconductor utilizado en sensores infrarrojos. Anteriormente, estos sensores funcionaban dentro de 0,9–1,7 micras, pero gracias al aumento de la proporción de indio en los cristales, fue posible ampliar su sensibilidad.
Hemos desarrollado una tecnología que permite crear cristales de InGaAs con un contenido récord de indio. Esto no solo amplía significativamente el rango de trabajo de los detectores, sino que también mantiene su compatibilidad con los procesos de producción existentes. Gracias a esto, nuestros desarrollos pueden salir rápidamente al mercado y competir con los análogos extranjeros.
Los nuevos fotodiodos se pueden utilizar en:
- Dispositivos de visión nocturna — mejor detalle de la imagen incluso en condiciones de alta humedad o nubosidad.
- Analizadores de gas — medición precisa de la concentración de metano y CO₂, lo cual es importante para el control ambiental.
El desarrollo se realizó con el apoyo de la Fundación Científica Rusa (RNF) y el Fondo de Promoción de la Innovación.
Lea más materiales sobre el tema:
Las bacterias transgénicas revelaron toxinas peligrosas en el ecosistema de los mares del norte
Rumbo a Venus: MAI crea tecnologías para misiones a un planeta distante