En la Universidad de San Petersburgo "LETI" (SPbGETU "LETI") junto con la empresa New Diamond Technology crearon muestras de placas de diamante con la adición de boro. El desarrollo puede ser útil para la electrónica de potencia del futuro cercano. Así lo informó el servicio de prensa del Ministerio de Ciencia y Educación Superior de la Federación Rusa.
Uno de los materiales prometedores es el diamante sintético. Un interés especial lo despiertan los cristales de diamante con una mezcla de boro, base para dispositivos opto y microelectrónicos de nueva generación.
Para crear un semiconductor, el grafito se colocó en una cámara con alta presión (5-6 gigapascales) y una temperatura de 1300-1600°C. Esto permitió obtener un cristal de diamante en pocos días.
Actualmente se ha obtenido una muestra, sobre cuya base se pueden fabricar prototipos de dispositivos electrónicos. Sin embargo, para introducir los desarrollos en la producción en masa, es necesario alcanzar tamaños de sustrato monocristalino de diamante de calidad electrónica de 2 pulgadas o más con una densidad de dislocaciones de menos de 103 en la segunda potencia negativa de centímetros.
Anteriormente, www1.ru informó que los microcircuitos para comunicación inalámbrica y navegación se están creando en SevGU.
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