Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ), известный как место создания первой отечественной атомной бомбы, займётся разработкой импортозамещённого оборудования для производства полупроводников. Предприятие стало победителем конкурса Минпромторга, контракт на ОКР шифр «Дантист» заключён 6 июля 2026 года, сумма составила 992,85 млн рублей, сообщает CNews. Оборудование должно быть разработано к 30 октября 2029 года.

Речь идёт о создании двух типов установок: для временного соединения полупроводниковых пластин с пластинами-носителями (бондинг) и для их последующего разделения и очистки (дебондинг). Оборудование рассчитано на работу с пластинами диаметром 100, 150 и 200 мм.

Новые установки должны заменить австрийское оборудование EV Group и немецкое SUSS MicroTec. Ключевое требование — максимальная локализация: критически важные комплектующие, включая контроллеры на базе отечественных микропроцессоров, платы управления, вакуумные системы и ПО, должны быть российского производства.

Институт основан в 1946 году — именно здесь разработали первые советские атомную и водородную бомбы, но сегодня РФЯЦ-ВНИИЭФ активно развивает компетенции в микроэлектронике. В его составе — Институт лазерно-физических исследований и Институт теоретической и математической физики. Выбор ядерного центра для такого заказа не случаен: атомная отрасль исторически накопила уникальные компетенции в высокоточной механике, вакуумных технологиях, материаловедении и сложном инженерном моделировании — именно эти навыки сегодня востребованы в производстве чипов.